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30奈米2Gb DDR3製程 瑞晶下半年量產
〔記者洪友芳／新竹報導〕DRAM廠瑞晶電子（4932）昨宣布，該公司成功試產出爾必達開發30奈米製程的2Gb DDR3，良率符合預期，預計今年下半年全面導入量產；南科（2408）、華亞科（3474）繼今年中全面轉換到42奈米製程之後，也接續展開3X奈米新世代製程試產，今年底可望量產。 瑞晶表示，試產成功的2Gb DDR3產品，為低耗電、高效能的全新30奈米製程技術，每片晶圓產出晶粒量比40奈米製程多出45%，可有效降低生產成本。 瑞晶總經理陳正坤指出，30奈米製程的2Gb DDR3試產結果，不論品質、良率均相當令公司滿意，表現超前進度，將加速進行製程轉換，預計今年下半年，將月產能8.5萬片的全產能轉換完成，並將生產4Gb DDR3，以滿足高階產品的市場需求。 台塑集團旗下DRAM廠南科、華亞科將在今年中全面轉換製程技術到42奈米，本季底計畫展開3X奈米製程DDR3產品試產，今年下半年逐季大量投產，有助降低生產成本。 南科、華亞科將在本週三舉行法說會，掀開半導體業法說會序幕，兩家公司除了第一季財報虧損幅度可望較上季縮減之外，製程技術轉換攸關第二季能否轉虧為盈，將是法人關注焦點。
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