力晶資本支出增百億 擴產快閃記憶體

〔記者梁世煌、洪友芳／綜合報導〕力晶〔5346〕揮軍主流Flash市場的動作越來越趨積極，該公司昨天宣佈與瑞薩達成4G AG-AND快閃記憶體的技轉協議，力晶還將因此把今年的資本支出由600億元增加至700億元，以擴大旗下12M廠的裝機規模，並預估在今年第四季進入量產階段，今年底月產能可拉升到兩萬片，成為目前國內DRAM廠中切入快閃記憶體中進度最快的業者。

力晶茂德布局Flash

事實上，目前國內除了力晶積極佈局快閃記憶體的市場外，茂德〔5387〕今年也開始在這方面全力急起直追，儘管茂德表示目前還處於「練兵」階段，但該公司已經成功自行研發出1G容量的 NAND Flash，並且已經完成光罩的製作，隨時可在生產線進行生產，今年底前1G NAND Flash能否進入試產階段，目前已成為法人觀察該公司進入Flash市場時程的指標。

力晶邁向4G層級

至於目前動作最快的力晶，先前已和瑞薩進行過1G AG-AND Flash的技轉，目前將技轉產品提升至4G層級，由於該項產品與NAND Flash一樣鎖定消費性電子市場，分析師表示，力晶目前大舉在Flash市場中佈樁，有助於讓力晶在這項高毛利的市場中提前爭取營運效益。

力晶董事長黃崇仁表示，快閃記憶體市場需求快速成長，三星、美光等全球主要DRAM大廠紛紛大舉投入，力晶也不缺席，決導入瑞薩的先進技術，結合力晶本身的高效率量產優勢，共同爭取市場商機。

資本支出增至700億

值得注意的是，今年力晶為了佈局Flash市場而買下旺宏（2337）12吋廠（12M廠）廠房，資本支出已提升至600億元，而在與瑞薩達成4G AG-AND Flash的技轉後，為了擴充生產線，其資本支出更將加碼至700億元，其手筆堪稱力晶歷年之最。

力晶總經理謝再居表示，該公司今年元月以50多億元向旺宏購買12吋廠，並命名為12M廠，12M廠目前正加緊安裝自動化生產控制系統，設備供應商將縮短機台交貨時程，預計從今年第四季開始量產快閃記憶體，新增的資本支出將可擴增12M廠的產能，估計今年底月產能可以拉升到兩萬片，加上力晶既有的12A、12B廠共計8.5萬片DRAM月產能，力晶已迅速建構快閃記憶體、DRAM兩大產品線的量產經濟規模。