DDRII產能 封測廠紛擴大

〔記者洪友芳╱新竹報導〕預期下半年DDRII記憶體產能需求將增加，DRAM封測廠投資設備主力均擺在DDRII記憶體，力成（6239）、泰林〔5466〕、南茂等封測廠第3季將持續擴增DDRII記憶體產能。

日本DRAM大廠爾必達（Elpida）後段封測委外代工量越趨增加，今年將躍為力成最大單一客戶，力成接獲爾必達的DDRI、DDRII產能逐月增加，預期下半年在DDRII產出量將明顯放大。

力成今年資本支出約50億元，與去年相近，計畫購置5593機台以增加DDRII產能，下半年DDRII產出量將明顯放大。事實上，因應爾必達大客戶的訂單需求，力成去年開始預備DDRII記憶體的uBGA封裝產能與T5593昂貴測試機台，目前產能滿載。該公司第2季uBGA封裝產能將從首季270萬顆倍增到540萬顆，第3季將增到800萬顆；測試產能第1季400萬顆、第2季達700萬顆、第3季預計增長到1000萬顆。

泰林總經理卓連發也表示，市場對DDRII的需求量約在下半年才會明顯見到，該公司今年資本支出10億元，大半將作為擴增DDRII的設備支出，計畫增購3台DDRII的測試機台，此機台設備每台價格高達1.5億元左右。

南茂也指出，該公司目前在記憶體封測產能利用率高，處於吃緊狀態，加上增加1家大客戶，DDRII產能加碼投資中，全年資本支出介於20到25億元之間。

台積：已設計出MRAM雛形

〔記者洪友芳╱新竹報導〕台積電（2330）資深研發副總經理蔣尚義表示，MRAM（磁性隨機存取記憶體）被預期可能取代嵌入式快閃記憶體，應用在可攜式產品的市場將很大，該公司與工研院電子所、客戶共3方一起開發技術中，採0.18微米技術製程，目前已設計出雛形，但量產還須克服材料、電路等問題，才能決定是否繼續投入開發與量產。

工研院電子所則指出，國際大廠包括IBM、摩托羅拉、三星電子等已紛投入MRAM研發，此為利用高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，屬於新穎的非揮發性記憶體，具有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射線等優勢特性，兼具DRAM、SRAM及Flash三類記憶體的容量大、速度快與非揮發性的特性，被半導體業界稱譽「夢幻記憶體」。

據了解，台積電預計今年底視研發技術的突破程度如何，才會決定是否要大筆投資MRAM技術繼續研發下去。