明年資本支出 NAND強 DRAM弱

〔編譯盧永山／綜合13日外電報導〕分析師表示，由於看好NAND快閃記憶體（Flash）的需求，全球記憶晶片製造商明年仍將維持強勁的資本支出，但DRAM資本支出將比今年要少。

首爾麥奎里研究公司分析師DoHoon Lee表示：「整體而言，在NAND的帶動下， 記憶晶片製造商的資本支出仍然強勁， 若只看DRAM部分，他們的資本支出就不是那麼積極。」美林預估，明年記憶晶片製造商的資本支出將增加5%至168.4億美元，低於今年的26%增幅。

美林分析師在最新發布的報告中指出：「在強勁的消費電子產品帶動下，NAND今年的資本支出將成長111%，明年則將成長36%，使得DRAM資本支出減少的情況下，記憶晶片製造商明年的整體資本支出仍屬強勁。」美林指出， 明年NAND資本支出佔記憶晶片製造商整體資本支出比例將升至36%，高於今年的28%，去年的17%。

市場研究公司Gartner日前預估，明年全球DRAM營收將萎縮5%至244億美元，低於今年的257億美元，而明年全球NAND營收將成長37.3%達147億美元。