研發MRAM 自旋科技有斬獲

〔記者黃淑莉╱斗六報導〕由雲林科技大學、中正大學及彰化師範大學三校共同成立的台灣自旋科技中心，進行高密度磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）研發，技術向前跨進一大步，記憶元突破傳統界限可達50奈米以下，雲科大人文科技學院長吳德和指出，若能成功完成量測、運用，可望為台灣科技產業帶來新局面。

自旋電子學係未來科技產業的新趨勢，國際知名科技業者及學術單位積極進行相關研發，為協助台灣在未來科技產業中佔有一席之地，經濟部2年前委託雲科大、中正大學及彰師大三校，成立台灣自旋科技中心。

該中心結合電機、電子、機械、化工、物理、化學等不同專長領域的教授及專業人才，致力於自旋電子學相關應用領域研究、積體奈米科技的應用開發及人才培育。

中正大學物理系教授陳恭指出，經過2年努力，研究團隊克服目前半導體產業遭遇的瓶頸，成功研發出50奈米的記憶元，為目前全球最小的。

吳德和表示，由於只是技術上突破，仍需進一步量測，進而達到可讀、寫才算成功，預估年底前可向經濟部提出具體研究成果報告。

陳恭說，MRAM被喻為夢幻記憶體，例如運用在手機上，手機可變得輕薄短小，資料可永久保存，且儲存密度提升讀取、寫入的速度，穩定性又高，因此開機快、讀取資料不必等候，省時又省電，平均一個電池可待機達1、20天。

另為讓業界、民眾更認識自旋電子，該中心將於27、28日在雲科大舉辦台灣第一屆自旋電子學專題論壇，邀請國內知名學者針對目前自旋電子學發展相關議題進行對談，歡迎有興趣的民眾踴躍前往聆聽。